مطالعه اثر ناخالصی فسفر و آنتیموان بر روی خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری لایه های نازک نانوساختار اکسید قلع- فلوئور (fto) تهیه شده به روش اسپری پایرولیزیز

در این تحقیق، لایه های نازک fto:p و fto:sb به روش اسپری پایرولیزیز بر روی زیرلایه های شیشه ای تهیه شده است. تاثیر تغییر تراکم فسفر و آنتیموان بر روی خواص ساختاری، الکتریکی، ترموالکتریکی، اپتیکی و فوتورسانایی این لایه ها بررسی شد. برای تهیه لایه نازک fto:p میزان ناخالصی فسفر با نسبت اتمی 0-10%= [p]/[sn] تغییر داده شد. نتایج آنالیز xrd تشکیل ساختار بس بلور تتراگونال sno2 را نشان داد. کمترین مقاومت ویژه لایه ها برابر با (?-cm) 4-10×5/94 برای نمونه %fto2:p(1at.) به دست آمد. اندازه گیری های اثر هال و سیبک رسانش نوع-n را در همه نمونه های جایگذاری شده با ناخالصی فسفر نشان دادند. همچنین تراکم حامل های تمام لایه ها از مرتبه cm-3 1022 به دست آمد. نمونه %fto:p(10at.) بیشترین میزان عبور در ناحیه مرئی نسبت به سایر لایه های آلاییده شده با فسفر دارد. مقادیر گاف نوری نمونه ها در گستره 3/72-3/4ev به دست آمد. برای تهیه لایه های نازک fto:sb میزان ناخالصی آنتیموان با نسبت اتمی [sb]/[sn]= 0-10% در نظر گرفته شد. نتایج نشان می دهد، تمام لایه ها دارای ساختار بس بلوری با فاز اصلی sno2 می باشند. مقاومت ویژه لایه ها در نمونه %fto:sb(0.1at.) کمترین مقدار را دارد و در همین نمونه شفافیت اپتیکی بیشترین مقدار را نسبت به سایر لایه ها نشان می دهد. نتایج اثر هال و سیبک رسانش نوع-n را در همه نمونه ها نشان می دهد. تراکم حامل های لایه ها از مرتبه cm-3 1022 می باشد. افزایش تراکم ناخالصی آنتیموان در محلول، کاهش گاف نواری از 8/3 به 3/19ev را نشان می دهد.